Аннотация:
На основе результатов расчетов электронной зонной структуры полупроводников Sb$_{2}$Te$_{3}$, Ge, Te и полуметалла Sb, выполненных методом функционала электронной плотности, найдены параметры критических точек в распределении электронной плотности (максимумов, минимумов и седловых точек) в кристаллической решетке вышеуказанных веществ. Полученные данные использованы для анализа природы химической связи в Sb$_{2}$Te$_{3}$.