Эта публикация цитируется в
11 статьях
Полупроводники
Структурное и магнитное упорядочение монокристаллов CrNb$_{3}$S$_{6}$, выращенных методом газового транспорта
Е. Б. Борисенкоa,
В. А. Березинb,
Н. Н. Колесниковa,
В. К. Гартманa,
Д. В. Матвеевa,
О. Ф. Шахлевичa a Институт физики твердого тела Российской академии наук, г. Черноголовка Московской обл.
b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Россия
Аннотация:
Парамагнитный слоистый полупроводник NbS
$_{2}$, легированный некоторыми переходными металлами, может превращаться в ферромагнитный материал. Поэтому такие материалы являются перспективными для ипользования в спинтронике. Установлено, что только при определенных концентрациях легирующего металла
$T$ оказывается возможным кристаллографическое упорядочение, которое является существенным для магнитного упорядочения тройных соединений
$T$NbS
$_{2}$. В частности, изучены кристаллы CrNb
$_{3}$S
$_{6}$, которые формировали практически полностью упорядоченную сверхструктуру с интеркалированными атомами Cr между слоями NbS
$_{2}$. Основной трудностью при выращивании этих кристаллов является достижение стехиометрии соединения. Эта проблема решена путем использования разработанного метода двухстадийной химической газовой транспортной реакции. Этот новый подход обеспечивает рост монокристаллов CrNb
$_{3}$S
$_{6}$ размерoм несколько миллиметров в диаметре и толщиной 0.3–0.5 mm. Проведен рентгенофазовый анализ порошков для идентификации всех фаз, участвующих в синтезе и росте кристаллов. Высокочастотное поглощение во внешнем периодическом магнитном поле как функция температуры и напряженности магнитного поля использовано для оценки температуры ферромагнитного перехода монокристаллов CrNb
$_{3}$S
$_{6}$. Значение температуры Кюри оценено как 115 K. Подробно исследован рост монокристаллов CrNb
$_{3}$S
$_{6}$ из паровой фазы и дан полный анализ фазовых переходов в процессе роста. Показано, что применение высокочастотного поглощения в кристалле позволяет надежно определять точку ферромагнитного превращения в этом полупроводнике.
Поступила в редакцию: 28.12.2016
DOI:
10.21883/FTT.2017.07.44588.464