Эффект кулоновской ямы в квантовых ямах (In, Ga)As/GaAs

Выполнено магнитооптическое исследование экситонных переходов в высококачественных квантовых ямах гетеросистемы (In, Ga)As/GaAs. Исследование пропускания отделенных от подложки свободных образцов в магнитных полях вплоть до 12 T выявило богатую тонкую структуру, связанную с различными тяжелодырочными и легкодырочными экситонными переходами. В частности, были зарегистрированы переходы из возбужденных состояний легких дырок, локализованных в кулоновском потенциале, создаваемом электроном вдоль оси гетероструктуры (кулоновская яма). Последовательно принимая во внимание напряжения, образование уровней Ландау, энергии связи экситонов (диамагнитных экситонов) и эффект “кулоновской ямы”, мы смогли описать экспериментальные результаты в рамках самосогласованной вариационной процедуры. В результате были объяснены новые особенности структуры оптических переходов и с хорошей точностью были определены приведенные массы электронов и дырок для экситона, образованного как на тяжелой дырке, так и на легкой.