Анизотропия длин свободного пробега фононов в монокристаллических пленках Ge, Si, алмаза при низких температурах

Рассмотрены физические аспекты влияния анизотропии упругой энергии кристаллов на анизотропию длин свободного пробега фононов в монокристаллических пленках Ge, Si, алмаза при диффузном рассеянии фононов на границах. Показано, что длины свободного пробега фононов для достаточно широких пленок Ge, Si, алмаза с ориентациями $\{100\}$ и $\{111\}$ и длинами пленок, меньшими или равными их ширины, являются изотропными (не зависят от направления градиента температуры в плоскости пленки). А анизотропии длин пробега фононов зависит главным образом от ориентации плоскости пленки и определяется фокусировкой и дефокусировкой фононных мод. Для пленок Ge, Si, алмаза с ориентациями $\{100\}$ и $\{111\}$ и длинами пленок, гораздо больших их ширины, длины свободного пробега фононов становятся анизотропными.