Фотоиндуцированная гетероструктура в пленке двуокиси ванадия

Теоретически исследован фотоиндуцированный фазовый переход полупроводник-металл, протекающий за время $\Delta t<1$ ps в поверхностном слое пленки двуокиси ванадия на алюминиевой подложке. Рассмотрен нетепловой механизм развития неустойчивости. Показано, что в пленке VO$_{2}$ образуется гетерофазная структура, содержащая металлические и полупроводниковые слои. Вычислено время фазового перехода $\tau$ в зависимости от расстояния $z$ до поверхности пленки. Проведено сравнение с экспериментом.