Аннотация:
Изучена возможность использования единичных нанокластеров Ni, Cu, Au, Pt и Pd в качестве битов информации в устройствах памяти нового поколения, построенных на принципе изменения фазового состояния носителя. Для этого на основе модифицированного потенциала сильной связи TB–SMA проведено моделирование методом молекулярной динамики процессов структурообразования из расплава наночастиц данных металлов диаметром до 10 nm. Исследовано влияние различных условий кристаллизации на формирование внутреннего строения нанокластеров Ni, Cu, Au, Pt и Pd. Проанализированы границы устойчивости различных кристаллических изомеров. Проведено сравнение полученных закономерностей для наночастиц меди, никеля, золота, платины и палладия одинаковой величины. Сделан вывод, что из исследуемых металлов лучшим материалом для создания элементов памяти, основанной на фазовых переходах, являются нанокластеры платины с диаметром $D>$ 8 nm.
Поступила в редакцию: 11.04.2016 Исправленный вариант: 24.06.2016