Релаксация тока в Si$_{3}$N$_{4}$: эксперимент и численное моделирование

Экспериментально измерена релаксация тока в структуре металл-нитрид-оксид-полупроводник. Эксперимент сравнивается с расчетом, основанным на двухзонной модели проводимости и многофононном механизме ионизации ловушек. Из сравнения эксперимента с расчетом для величины сечения рекомбинации получена оценка сверху, которая составила 5 $\cdot$ 10$^{-13}$ cm$^{2}$.