Аннотация:
Проанализировано влияние температур (2–300 K) и высоких давлений (до 50 GPa) на электрические и магнитные свойства кристаллических материалов на основе халькогенидов меди и индия с общей формулой (In$B$)$_{1-x}$(Cu$AB_{2})_{x}$ (где $A$ = As, Sb; $B$ = S, Se), а также кристаллических CuInSe$_{2}$ и CuInS$_{2}$.