RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2017, том 59, выпуск 1, страницы 88–91 (Mi ftt9711)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Сегнетоэлектричество

Магнитные и электрические свойства кристаллических материалов на основе халькогенидов индия и меди в широкой области температур и давлений

Н. В. Мельниковаa, Ю. А. Кандринаa, А. В. Тебеньковa, Е. А. Степановаa, А. Н. Бабушкинa, А. Ю. Моллаевb, Л. А. Сайпулаеваb, А. Г. Алибековb

a Институт естественных наук, Уральский федеральный университет, Екатеринбург
b Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия

Аннотация: Проанализировано влияние температур (2–300 K) и высоких давлений (до 50 GPa) на электрические и магнитные свойства кристаллических материалов на основе халькогенидов меди и индия с общей формулой (In$B$)$_{1-x}$(Cu$AB_{2})_{x}$ (где $A$ = As, Sb; $B$ = S, Se), а также кристаллических CuInSe$_{2}$ и CuInS$_{2}$.

Поступила в редакцию: 14.06.2016

DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43955.245


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2017, 59:1, 89–92

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024