Электронное строение и фазовый состав диэлектрических прослоек в многослойной аморфной наноструктуре [(CoFeB)$_{60}$C$_{40}$/SiO$_{2}$]$_{200}$

Многослойная аморфная наноструктура [(CoFeB)$_{60}$C$_{40}$/SiO$_{2}$]$_{200}$ из чередующихся композитных и диэлектрических слоев была получена ионно-лучевым распылением на вращающуюся ситалловую подложку из двух мишеней, одна из которых представляла собой металлическую пластину сплава Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$ со вставками графита. Диэлектрические прослойки напылялись из пластины кварца SiO$_{2}$ (вторая мишень). Толщины бислоев многослойной наноструктуры (МНС) (6 nm), состоящие из металлосодержащих композитных слоев с углеродом (CoFeB)$_{60}$C$_{40}$ толщиной около 4 nm и диэлектрических прослоек оксидов кремния толщиной около 2 nm, определялись методом малоугловой дифракции. Результаты экспериментального послойного исследования без разрушения МНС методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии (УМРЭС) показали существенное отклонение стехиометрического состава диэлектрических прослоек от стехиометрии распыляемого кварца в сторону уменьшения содержания кислорода с образованием субоксида SiO$_{1,3}$. По результатам моделирования Si $L_{2,3}$-спектров с помощью эталонных спектров известных фаз содержание субоксидной фазы кремния в аморфных диэлектрических прослойках достигает около половины состава прослойки, вторая половина которого приходится на диоксид SiO$_{2}$.
“Экранирующее” действие углерода в металлосодержащих слоях проявляется в отсутствии силицидообразования на интерфейсах исследуемой многослойной структуры и должно способствовать увеличению анизотропии их электромагнитных свойств.