Е. М. Зобов, А. Ю. Моллаев, Л. А. Сайпулаева, А. Г. Алибеков, Н. В. Мельникова, “Энергетический спектр электронных центров прилипания в CuInAsS$_{3}$”, Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 12,страницы 2369

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Сегнетоэлектричество

Энергетический спектр электронных центров прилипания в CuInAsS$_{3}$

Е. М. Зобов^a, А. Ю. Моллаев^a, Л. А. Сайпулаева^a, А. Г. Алибеков^a, Н. В. Мельникова^b

^a Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия
^b Институт естественных наук, Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина, Екатеринбург

Аннотация: Представлены результаты исследования энергетического спектра электронных состояний, обусловленных центрами прилипания, роль которых в CuInAsS$_{3}$ играют дефекты кристаллической решетки. Результаты анализа кривых термостимулированного тока в CuInAsS$_{3}$ показывают, что энергетический спектр центров прилипания локализован под дном зоны проводимости в интервале энергий $E_{C}$–(0.14–0.35) eV.

Поступила в редакцию: 10.05.2016