Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, К. Ф. Штельмах, К. В. Карабешкин, “Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода”, Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 12,страницы 2411

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Примесные центры

Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода

Н. А. Соболев^a, А. Е. Калядин^a, П. Н. Аруев^a, В. В. Забродский^a, Е. И. Шек^a, К. Ф. Штельмах^ba, К. В. Карабешкин^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Аннотация: Исследованы фотолюминесцентные свойства (113) дефектов, образующихся в Si-структуре после имплантации ионов кислорода с энергией 350 keV и дозами 1.7 $\cdot$ 10$^{13}$–1.7 $\cdot$ 10$^{15}$ cm$^{-2}$ и последующего отжига при 700$^\circ$C в течение 0.5–2 h в хлорсодержащей атмосфере. Независимо от дозы имплантации и времени отжига в спектрах фотолюминесценции доминирует линия с длиной волны 1.37 $\mu$m, принадлежащая (113) дефекту. Зависимости интенсивности линии от дозы имплантации и длительности отжига характеризуются кривыми с максимумами. С ростом температуры измерения в диапазоне 64–120 K интенсивность линии монотонно уменьшается.

Поступила в редакцию: 18.05.2016
Исправленный вариант: 14.06.2016