Ю. А. Данилов, H. Boudinov, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Е. А. Питиримова, Р. Р. Якубов, “Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом”, Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 11,страницы 2140

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'' , Н. Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Магнетизм

Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом

Ю. А. Данилов^abc, H. Boudinov^c, О. В. Вихрова^b, А. В. Здоровейщев^b, А. В. Кудрин^ab, С. А. Павлов^d, А. Е. Парафин^ad, Е. А. Питиримова^a, Р. Р. Якубов^a

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^c Institute of Physics, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, Brazil
^d Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Показано, что слои (Ga, Mn)As, сформированные методом имплантации ионов Mn$^{+}$ в GaAs и последующего отжига импульсом эксимерного лазера с плотностью энергии до 200–300 mJ/cm$^{2}$, обладают свойствами полупроводника $p$-типа и ферромагнитными свойствами. Определена пороговая доза имплантированных ионов ($\sim$10$^{15}$ cm$^{-2}$) для активации акцепторов Mn. С дальнейшим повышением дозы ионов Mn$^{+}$ увеличивается слоевая концентрация дырок и температура Кюри. Петли гистерезиса в магнитополевых зависимостях эффекта Холла, отрицательное магнетосопротивление, магнитные и структурные исследования свидетельствуют о том, что слои являются аналогами однофазных ферромагнитных соединений (Ga, Mn)As, сформированных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии.