А. М. Луговых, Т. Б. Чарикова, В. И. Окулов, К. Д. Моисеев, Ю. А. Кудрявцев, “Особенности переноса заряда и ферромагнитный порядок в полупроводниковых гетероструктурах с $\delta$-легированием марганцем”, Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 11,страницы 2160

Эта публикация цитируется в 1 статье

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'' , Н. Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Магнетизм

Особенности переноса заряда и ферромагнитный порядок в полупроводниковых гетероструктурах с $\delta$-легированием марганцем

А. М. Луговых^a, Т. Б. Чарикова^ab, В. И. Окулов^ab, К. Д. Моисеев^c, Ю. А. Кудрявцев^d

^a Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
^b Уральский федеральный университет им. Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^d Национальный политехнический институт, Синвестав, Мексика

Аннотация: Приводятся результаты исследований температурных и полевых зависимостей удельной намагниченности и магнитосопротивления в гетероструктурах с квантовой ямой GaAs/Ga$_{0.84}$In$_{0.16}$As/GaAs и с $\delta$-слоем атомарного Mn, расположенным в барьерном слое вблизи квантовой ямы, заполненной дырками. Обнаружено изменение в поведении сопротивления и намагниченности при упорядочении локализованных магнитных моментов в покровном слое вследствие изменения топологии распределения ионов марганца.