Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300 K

Представлены результаты теоретической оптимизации конструкции гетероструктур с квантовыми ямами на основе твердых растворов AlGaN с целью достижения максимальной энергии активации носителей заряда и максимальной энергии связи экситона при длине волны излучения $\sim$300 nm. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота изготовлен образец оптимизированной конструкции, в котором излучательная рекомбинация доминирует во всем диапазоне температур от 5 до 300 K, а внутренний квантовый выход при комнатной температуре составляет порядка 80% от величины, измеренной при 5 K.