Аннотация:
Методом численного моделирования в рамках феноменологической модели для энергии магнитной анизотропии исследована эволюция вектора антиферромагнетизма мультиферроика BiFeO$_{3}$ в процессе переключения его сегнетоэлектрической поляризации электрическим полем. Найдены оптимальные варианты среза электрочувствительного слоя BiFeO$_{3}$, деформации, созданной подложкой, и направления приложения электрического поля для создания прототипов магниторезистивной памяти нового поколения.