RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 10, страницы 1895–1898 (Mi ftt9808)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Диэлектрики

Трансформация точечных дефектов в диоксиде кремния в процессе отжига

Е. В. Иванова, М. В. Заморянская

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Ранее авторами было показано, что отжиг диоксида кремния в бескислородной среде приводит к образованию кластеров кремния вблизи поверхности. Механизм формирования кластеров кремния таким способом изучен недостаточно, однако установлено, что скорость образования нанокластеров и их размер зависят от содержания точечных дефектов в диоксиде кремния и содержания примесей, например гидроксильных групп. В продолжение этих исследований изучено изменение содержания точечных дефектов в пленках диоксида кремния в процессе отжига. Для оценки изменения содержания точечных дефектов до и после отжига предложена новая методика. Предложена модель трансформации точечных дефектов в диоксиде кремния в нанокластеры кремния в результате высокотемпературного отжига.

Поступила в редакцию: 12.04.2016


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2016, 58:10, 1962–1966

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024