Аннотация:
Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света выполнено сравнительное исследование динамики решетки при фазовых переходах в поликристаллической пленке Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ (BST) на подложке Pt и в эпитаксиальных пленках BST, выращенных на различных срезах подложки MgO. Установлено, что в этих пленках реализуются разные последовательности фазовых переходов. В пленке BST/Pt наблюдается та же последовательность фазовых переходов, что и в объемной керамике. В пленках BST/(001)MgO и BST/Pt ужесточение мягкой моды свидетельствует о том, что переход из тетрагональной сегнетоэлектрической фазы в параэлектрическую имеет черты как фазового перехода типа смещение, так и перехода типа порядок–беспорядок. При приближении к температуре сегнетоэлектрического перехода мягкая мода в пленке BST/(111)MgO смягчается, следуя закону Кокрена, что указывает на фазовый переход типа смещения.