Аннотация:
Исследован процесс интеркаляции кремния под однослойный графен, сформированный на поверхности эпитаксиальной пленки Со(0001). Эксперименты выполнены в условиях сверхвысокого вакуума. Толщина пленок Si варьировалась в диапазоне до 1 nm, температура их отжига составляла 500$^\circ$C. Характеризация образцов проводилась in situ методами дифракции медленных электронов, фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения и магнитного линейного дихроизма в фотоэмиссии Со 3$p$-электронов. Получены новые данные об эволюции атомной и электронной структуры, а также магнитных свойств системы с увеличением количества интеркалированного кремния. Показано, что в ходе интеркаляции под слоем графена синтезируются поверхностный силицид Со$_{2}$Si и твердый раствор кремния в кобальте.