RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 9, страницы 1695–1700 (Mi ftt9845)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Полупроводники

Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия

Д. Л. Алфимоваa, Л. С. Лунинa, М. Л. Лунинаa, А. С. Пащенкоa, С. Н. Чеботаревab

a Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону
b Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М. И. Платова, Новочеркасск, Россия

Аннотация: Обсуждаются результаты выращивания изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках InAs из жидкой фазы в поле температурного градиента. В рамках модели регулярных растворов проведен анализ гетерофазных равновесий в системе Ga–In–P–Sb–As. Исследованы кинетика роста, состав, структурное совершенство и люминесцентные свойства изопериодных гетероструктур Ga$_{z}$In$_{1-z}$P$_{x}$Sb$_{y}$As$_{1-x-y}$/InAs.

Поступила в редакцию: 16.02.2016


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2016, 58:9, 1751–1757

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024