Аннотация:
Изучается дислокационный механизм твердорастворного упрочнения ковалентных полупроводниковых кристаллов. Изменение закономерностей динамики дислокаций в твердых растворах по сравнению с имеющими место в материалах компонентов раствора связывается с проявлением режима нелинейного дрейфа дислокационных кинков. Развиваемая теория предлагает объяснение особенностей подвижности дислокаций в твердом растворе Ge$_{1-c}$Si$_{c}$.