Слабая антилокализация в тонких пленках твердого раствора Bi$_{2}$Te$_{2.7}$Se$_{0.3}$

Разработана технология получения тонких пленок твердого раствора Bi$_{2}$Te$_{2.7}$Se$_{0.3}$ термическим испарением в вакууме методом “горячей стенки”. Высокое качество полученных тонких пленок подтверждается данными рентгеновской дифракции и рамановского рассеяния. Исследован транспорт электронов в широкой области температур (1.4–300 K) и магнитных полей вплоть до 8 T. Предполагается, что наблюдаемая слабая антилокализация обусловлена доминирующим вкладом поверхностных состояний топологического изолятора. Оценена длина сбоя фазы.