Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si

Методом хлоридной эпитаксии на пластинах кремния ориентации (111) с буферным слоем нано SiC выращены хорошо текстурированные, близкие по структуре к эпитаксиальным слои оксида галлия beta-Ga$_{2}$O$_{3}$ толщиной $\sim$1 $\mu$m. Для улучшения роста на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной $\sim$100 nm. Пленки $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ всесторонне исследованы методами электронографии, эллипсометрии, рентгеноструктурного анализа, растровой электронной микроскопии и микрорамановской спектроскопии. Исследования показали, что пленки текстурированы со структурой, близкой к эпитаксиапльной, и состоят из чистой $\beta$-фазы Ga$_{2}$O$_{3}$, имеющей ориентацию (201). Измерена зависимость диэлектрической проницаемости эпитаксиального $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ от энергии фотона в дипазоне 0.7–6.5 eV в изотропном приближении.