Полевые транзисторные структуры на основе поли(3-гексилтиофена), производных фуллеренов [60]PCBM, [70]PCBM и наночастиц никеля

Получены органические полевые транзисторные (ОПТ) структуры с активными слоями на основе композитных пленок полупроводникового полимера – поли(3-гексилтиофена) – P3HT, производных фуллеренов [60]PCBM и [70]PCBM, а также наночастиц никеля (Ni) и исследованы их оптические, электрические и фотоэлектрические свойства. Показано, что введение наночастиц Ni в пленки P3HT : [60]PCBM и P3HT : [70]PCBM приводит к росту поглощения и гашению фотолюминесценции композита в спектральном диапазоне 400-600 nm вследствие плазмонного эффекта. В ОПТ-структурах на основе P3HT : [60]PCBM : Ni и P3HT : [70]PCBM : Ni при концентрациях P3HT : [60]PCBM и P3HT : [70]PCBM $\sim$1 : 1 и Ni $\sim$3–5 wt.% наблюдаются вольт-амперные характеристики (ВАХ), характерные для амбиполярных ОПТ с преобладающей дырочной проводимостью. Рассчитанные из ВАХ значения подвижности носителей заряда — дырок – при $V_\mathrm{G}$ = -10 V составили $\sim$0.46 cm$^{2}$/Vs для P3HT : [60]PCBM : Ni и $\sim$4.7 cm$^{2}$/Vs для P3HT : [70]PCBM : Ni, что свидетельствует о возрастании подвижности при переходе в составе композитов от [60]PCBM к [70]PCBM. Исследован эффект воздействия света на ВАХ ОПТ на основе композитных пленок P3HT : [60]PCBM : Ni и P3HT : [70]PCBM : Ni.