Дифференциальный анализ спектров краевой фотолюминесценции монокристаллов Ge различных ориентаций в условиях двухосных растягивающих напряжений

С использованием предложенного автором дифференциального метода анализа спектров люминесценции полупроводников проведен анализ опубликованных ранее спектров фотолюминесценции объемных монокристаллов германия ориентаций (100), (110) и (111) при различных двухосных механических растягивающих напряжениях. С ростом напряжений для всех ориентаций происходит обусловленное сужением прямой запрещенной зоны Ge смещение максимумов дифференциальных спектров в области прямых излучательных переходов в сторону меньших энергий квантов. При этом максимумы дифференциальных спектров в области непрямых излучательных переходов практически не смещаются. Это указывает на независимость ширины непрямой зоны Ge от растягивающих напряжений, по крайней мере при их величинах до $\sim$0.2–0.3%.