Вклад селективного рассеяния в увеличение термоэдс нанокристаллических пленок Cr$_{1-x}$Si$_{x}$

Приведены результаты экспериментального изучения термоэдс и электропроводности аморфных и нанокристаллических пленок системы Cr$_{1-x}$Si$_{x}$ (0.65 $<x<$ 0.89) при температурах 300–800 K. Показано, что аморфные пленки быстро кристаллизуются при температурах выше 550 K. В ходе кристаллизации пленки переходят в нанокристаллическое состояние. Скорость кристаллизации быстро уменьшается с понижением температуры. Выполнено in situ измерение термоэдс и удельного сопротивления пленки CrSi$_{2}$ в ходе изотермического отжига при температуре 496 K. Показано, что при кристаллизации появляется дополнительный вклад в термоэдс, связанный с селективным рассеянием носителей заряда на границах нанокристаллов.