О роли вторичной экстинкции при измерении интегральной интенсивности рентгенодифракционных пиков и определении толщины нарушенных эпитаксиальных слоев

Измерены интегральные интенсивности рентгенодифракционных отражений для серии эпитаксиальных слоев AIII-нитридов (GaN, AlN, AlGaN), выращенных на разных подложках (сапфир, SiC) и имеющих разную степень структурного совершенства. Показано, что, несмотря на большую плотность дислокаций и значительное уширение дифракционных пиков, полученные значения не описываются кинематической теорией дифракции и свидетельствуют о существовании экстинкции. Результаты анализируются на основе моделей экстинкции Дарвина и Захариазена. Путем использования двух порядков отражения как в брэгговской геометрии (0002 и 0004), так и в лауэвской (10$\bar1$0) и 11$\bar2$0) определены значения коэффициента вторичной экстинкции и толщина эпитаксиальных слоев. Показано, что вторичная экстинкция тем больше, чем меньше уширение дифракционных пиков и, следовательно, плотность дислокаций. Для слоев с регулярной системой прорастающих дислокаций коэффициент вторичной экстинкции из Лауэ-отражений значительно больше, чем из брэгговских отражений.