Влияние полярности напряжения смещения подложки на текстуру, микроструктуру и магнитные свойства пленок Ni, получаемых магнетронным распылением

Для пленок Ni, получаемых магнетронным распылением при давлении рабочего газа $P$, соответствующем режиму пролета атомов распыленного материала мишени в области между мишенью и подложкой, близкому к бесстолкновительному, изучено влияние полярности напряжения смещения подложки $U_{s}$ на микроструктуру, кристаллографическую текстуру и магнитные свойства пленок толщиной $d\approx$ 15–420 nm. Показано, что при $U_{s}\approx$ -100 V формируются пленки с текстурой Ni(111), микроструктура и магнитные параметры которых почти не меняются с толщиной. При $U_{s}\approx$ +100 V формируются пленки Ni(200), магнитные свойства и микроструктура которых существенно зависят от толщины $d$, что проявляется в наличии критической толщины $d^{*}\approx$ 150 nm, когда структура пленки по толщине становится неоднородной, петли перемагничивания изменяются от прямоугольных к закритическим и формируется полосовая доменная структура.