Влияние взаимодействия в системе Ga–As–O на морфологию поверхности GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии

Проведен термодинамический анализ и определены теоретические закономерности процессов межфазного взаимодействия в системе Ga–As–О с учетом нелинейных теплофизических свойств соединений, состава оксидных пленок и режимов молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs. Проведены экспериментальные исследования процессов взаимодействия собственного окисла GaAs с материалом подложки, а также с Ga и As$_{4}$ из парогазовой фазы. Показана корреляция экспериментальных результатов с результатами термодинамического анализа. Предложены закономерности влияния процессов удаления собственного окисла на эволюцию морфологии поверхности GaAs в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии.