Осаждение текстурированных пленок NiFe(200) и NiFe(111) на подложки Si/SiO$_{2}$ магнетронным распылением на постоянном токе

Исследовано влияние температуры $T_{\operatorname{sub}}$ и напряжения смещения $U_{\operatorname{bias}}$ подложки на текстуру пленок NiFe с толщиной $d\sim$ 30–340 nm, полученных магнетронным распылением на постоянном токе на подложках Si(111)/SiO$_{2}$ при давлении рабочего газа $P\sim$ 0.2 Pa. Показано, что пленки, выращенные при комнатной температуре подложки, имеют текстуру (111), которая улучшается при отрицательном напряжении смещения. Осаждение пленок на заземленную ($U_{\operatorname{bias}}\sim$ 0) подложку, нагретую до температуры $T_{\operatorname{sub}}\sim$ 440–640 K, приводит к формированию текстурированных пленок NiFe(200).