RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Итоги науки и техники. Современная математика и ее приложения. Тематические обзоры // Архив

Итоги науки и техн. Соврем. мат. и ее прил. Темат. обз., 2019, том 172, страницы 104–112 (Mi into549)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Сравнительный анализ матричного метода и метода конечных разностей для моделирования распределения неосновных носителей заряда в многослойной планарной полупроводниковой структуре

Е. В. Серегинаa, В. В. Калмановичb, М. А. Степовичb

a Калужский филиал МГТУ им. Н. Э. Баумана
b Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского

Аннотация: Стационарное дифференциальное уравнение тепломассопереноса с разрывными коэффициентами описывает различные физические процессы, не зависящие от времени, например, распределение неосновных носителей заряда от стационарного источника в неоднородной или многослойной структуре. В работе изложены результаты анализа возможностей применения матричного метода и метода конечных разностей для моделирования распределения неосновных носителей заряда, генерированных киловольтными электронами в многослойном полупроводниковом материале. Показана эффективность матричного метода для решения стационарных дифференциальных уравнений с разрывными коэффициентами.

Ключевые слова: математическая модель, дифференциальное уравнение, электронный пучок, полупроводник, многослойная планарная структура, матричный метод, метод конечных разностей.

УДК: 517.927.2, 519.677

MSC: 34B05, 34B60, 65Z05, 80A20, 78A55

DOI: 10.36535/0233-6723-2019-172-104-112



© МИАН, 2025