RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Итоги науки и техники. Современная математика и ее приложения. Тематические обзоры // Архив

Итоги науки и техн. Соврем. мат. и ее прил. Темат. обз., 2021, том 193, страницы 122–129 (Mi into806)

О корректности математических моделей диффузии, обусловленной остро сфокусированным электронным зондом в однородном полупроводниковом материале

М. А. Степовичa, Д. В. Туртинb, Е. В. Серегинаc

a Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского
b Российский экономический университет им. Г. В. Плеханова, г. Москва
c Калужский филиал МГТУ им. Н. Э. Баумана

Аннотация: Проведено сравнительное исследование качественных свойств двумерной и трехмерной математических моделей диффузии частиц (неравновесных неосновных носителей заряда, экситонов), генерируемых остро сфокусированным электронным зондом в однородном полупроводниковом материале. Показано, что рассматриваемые математические модели являются математически корректными и могут быть применены для оценки электрофизических параметров однородных полупроводниковых мишеней по результатам экспериментальных измерений.

Ключевые слова: математическая модель, дифференциальное уравнение, частная производная, задача Коши, электронный зонд, полупроводник, корректность, единственность, непрерывная зависимость от данных, идентификация.

УДК: 517.95, 517.958

MSC: 35G16, 35A02, 78A35

DOI: 10.36535/0233-6723-2021-193-122-129



© МИАН, 2024