Одномерная кинетическая модель дебаевского слоя на диэлектрической поверхности

Рассматриваются результаты численного исследования одномерной нестационарной модели структуры дебаевского слоя на диэлектрической поверхности. Исследование проводится на основе одномерного уравнения Власова для электронов, уравнения Пуассона для электрического потенциала и уравнения определяющего поверхностный заряд стенки. Показано, что вследствие процесса вторичной электронной эмиссии классический стационарный дебаевский (тормозящий) слой существует только при достаточно низкой электронной температуре.