Модель анизотропии на скомпенсированном интерфейсе кубический ферромагнетик-антиферромагнетик со структурой Cu$_3$Au (L1$_2$)

Магниторезистивная память (MRAM) потенциально способна заменить большую часть различных типов современной полупроводниковой памяти.
Ключевым элементом ячейки MRAM является антиферромагнитный слой с ГЦК решеткой, фиксирующий намагниченность примыкающего к нему ферромагнитного слоя. В данной работе изучен механизм возникновения обменной анизотропии на скомпенсированном интерфейсе антиферромагнетика и ферромагнетика, построена многослойная микромагнитная модель антиферромагнетика. Показано, что направление оси анизотропии определяется одним из восьми состояний антиферромагнетика, при этом традиционная однослойная макроспиновая модель антиферромагнетика дает некорректные результаты. Предложена эффективная двухслойная модель антиферромагнетика с «тяжелым» внутренним слоем.