Атомистическое моделирование характеристик фононной подсистемы меди в широком температурном диапазоне

В широком температурном диапазоне 300K $\leqslant$ T $\leqslant$ 5800K с использованием метода молекулярной динамики (МД) получены температурные зависимости теплофизических свойств фононной подсистемы меди. МД моделирование осуществлялось с использованием потенциала погруженного атома (EAM). В число исследуемых характеристик были включены температурные зависимости удельной теплоемкости, энтальпии, теплопроводности и плотности. В расчётах особое внимание уделяется области плавления-кристаллизации и околокритической области, в которой происходят кардинальные изменения теплофизических свойств вещества. Результаты вычислений сравнивались с результатами экспериментов и альтернативных вычислений. Сравнение показало хорошее совпадение. Полученные результаты вычислений были аппроксимированы полиномами невысоких степеней.