Моделирование сегнетоэлектриков на основе уравнения Фоккера-Планка и построение замкнутой системы уравнений моментов

В работе рассматривается моделирование одноосных ионных сегнетоэлектриков на основе уравнения Фоккера-Планка. Уравнение решается численно, методом стохастического аналога. Для описания квазиравновесного состояния сегнетоэлектрика строится система моментов, замыкаемая при помощи распределения Гаусса и эмпирической зависимости критической температуры от ключевых параметров. Показано, что полученная система дает приемлемые результаты на задаче о температурном гистерезисе.