Биполяронная теория полевого эффекта в высокотемпературных сверхпроводниках

Лежащий в основе высокотемпературной сверхпроводниковой электроники полевой эффект в настоящее время не имеет микроскопического обоснования. В работе построена микроскопическая теория полевого эффекта в высокотемпературных сверхпроводниках, основанная на трансляционно-инвариантной биполяронной теории сверхпроводимости. Показано, что в не слишком сильных полях однородное состояние бозе-конденсата таких биполяронов сохраняется, а его критическая температура увеличивается. Это может быть использовано для повышения температуры сверхпроводящего перехода в уже имеющихся высокотемпературных сверхпроводниках.