Аннотация:
Численная стохастическая модель радиационно- стимулируемых процессов кластеризации вакансионно-газовых дефектов кристаллической решетки может быть рассмотрена для случая чередующихся тонких слоев металла и пористого диэлектрика. Кристаллическая структура материалов подвергается изменениям на атомном уровне, образование объемных дефектов описывается кинетическими и стохастическими квазилинейными уравнениями, позволяющими исследовать механизмы деградации конструкционных материалов, находящихся под воздействием экстремальных условий. Модернизация программного обеспечения кинетического кода «Блистер» расширяет возможности диагностики деградации свойств материалов с помощью функций распределения дефектов по размерам и координатам в слоях, а также потоков дефектов на границы слоев и проч., а также исследовать повреждения поверхности технологических фокусирующих и диагностических зеркал при развитии высокотемпературного блистеринга гелия.