Статистические модели электронной эмиссии. Модель «утолщëнных траекторий»

Настоящая работа посвящена описанию статистических моделей переноса электронов в веществе и их реализации при решении задач об электронной эмиссии с поверхности объектов, облучаемых ионизирующим излучением. Основное внимание уделено описанию новой модели «утолщенных траекторий» (МУТ). Преимущество новой модели перед существующими заключается в отказе от использования приближенных распределений теории многократного рассеяния при сохранении экономичности вычислений. В работе также предложена упрощенная инженерная модель электронной эмиссии с поверхности объекта под действием ионизирующего излучения. Эта модель теряет в точности по сравнению с МУТ, но выигрывает в быстроте расчетов.