О некоторых особенностях численного исследования процесса эпитаксиального выращивания тройных полупроводниковых соединений

В работе описывается вычислительный эксперимент по выращиванию тройных полупроводниковых соединений СdyHg1-yTe и AlyGa1-yAs методом жидко-фазовой эпитаксии. Численные расчеты одномерной и двумерной нелинейных задач проводятся по схемам с явной аппроксимацией одного из граничных условий и по чисто неявной схеме. Показывается, что схемы с явной аппроксимацией одного из граничных условий, реализуемые путем последовательного вычисления искомых функций, являются неустойчивыми в определенном диапазоне входных параметров. Чисто неявная схема гарантирует получение правильных результатов во всем диапазоне параметров.