RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Международный научно-исследовательский журнал // Архив

Междунар. науч.-исслед. журн., 2016, выпуск 11-4(53), страницы 157–160 (Mi irj157)

ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ

Квантовые электрические явления в области низких температур

В. А. Калытка, Б. С. Оспанов, Ж. Б. Байдильдина, Е. С. Рымханов

Карагандинский государственный технический университет

Аннотация: Исследуется квантовый механизм миграционной поляризации в слоистых кристаллах в переменном электрическом поле в области низких температур. Вычисляется неравновесная матрица плотности для ансамбля невзаимодействующих протонов двигающихся в одномерном многоямном прямоугольном потенциальном рельефе возмущенном переменным поляризующим полем. Результаты квантово – механического исследования миграционной поляризации могут быть использованы при изучении туннельного механизма спонтанной поляризации сегнетоэлектриков (KDP,DKDP).

Ключевые слова: кристаллы с водородными связями (КВС); миграционная поляризация; протонная релаксация; неравновесная матрица плотности для протонов.

DOI: 10.18454/IRJ.2016.53.081



© МИАН, 2024