Аннотация:
В работе проведено экспериментальное исследование и теоретический анализ возможных механизмов
автоэмиссии в нанозёренной структуре наиболее применяемых полупроводников (Si, GaAs, InAs, InSb). Предложена
модельная схема электронных процессов. Рассчитаны параметры электронного спектра исследуемых структур.
Получено качественное и количественное согласование экспериментальных результатов с теоретической оценкой, что
подтверждает правомерность сформулированных модельных представлений. Проведённое исследование позволяет
утверждать, что эмиттеры на основе узкозонных полупроводников А$_3$В$_5$ значительно эффективнее, чем на базе
металлов, углерода, кремния.