Особенности кристаллографической структуры буферных слоев CeO$_2$ на $r$-Al$_2$O$_3$ полученных методом импульсного лазерного осаждения

В работе представлены результаты структурных исследований буферных слоев CeO$_2$ выращенных методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллических подложках из $r$-Al$_2$O$_3$(1102) при температуре подожки 750$^{\circ}$С. Экспериментально показано, что при изменении давления кислорода в процессе роста, в условиях сохранения неизменными остальных параметров роста, возможно получение буферных слоев с разной кристаллографической ориентацией: при давлении кислорода 0,002 мбар буферные слои имеют ориентацию (111), а при давлении кислорода 0,2 мбар–(002). Полученные результаты могут представлять интерес для получения эпитаксиальных пленок и наногетероструктур со слоями из высокотемпературных сверхпроводников и допированных манганитов на монокристаллических подложках $r$-Al$_2$O$_3$ с буферными слоями из CeO$_2$.