RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Международный научно-исследовательский журнал // Архив

Междунар. науч.-исслед. журн., 2015, выпуск 9-3(40), страницы 49–53 (Mi irj72)

Эта публикация цитируется в 1 статье

ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ

Коэффициенты туннелирования электронов через потенциальные барьеры треугольной и ступенчатой формы

О. Г. Жевняк

Белорусский государственный университет, г. Минск

Аннотация: В настоящей работе получены аналитические выражения для коэффициента туннельного прохождения электронов через потенциальные барьеры с вершинами ступенчатого вида, а также треугольной формы. С их помощью рассчитаны зависимости величины этого коэффициента от энергии туннелирующих электронов, и проведен сравнительный анализ данных зависимостей для барьеров с двумя значениями толщины и высоты. Установлено, что для барьеров с разным срезом вершины для рассматриваемых случаев эти зависимости практически совпали.

Ключевые слова: потенциальный барьер, коэффициент туннелирования, ячейка флеш-памяти.



© МИАН, 2024