RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика // Архив

Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 2017, том 17, выпуск 4, страницы 216–241 (Mi isuph298)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Твердотельная электроника, микро- и наноэлектроника

Magnonic logic devices

[Приборы магнонной логики]

A. G. Khituna, A. E. Kozhanovb

a University of California – Riverside, 900, University Ave., Engineering Bldg. II, Suite 414, Riverside, CA 92521, United States
b Georgia State University, Office: 408 Science Annex Bldg., 25 Park pl NE, rm 605, Atlanta, GA 30303, United States

Аннотация: Делается обзор работ по исследованиям и разработкам физико-технологической платформы создания устройств магнонной логики. Рассматриваются физические принципы построения устройств спиновой логики, методы управления фазой и эффекты интерференции спиновых волн при распространении в магнитных микроструктурах. Обсуждаются результаты микромагнитного моделирования и экспериментальных исследований эффектов распространения спиновых волн в микроволноводах на основе ферромагнитных металлов и пленок ферритов гранатов. Рассматриваются методы возбуждения и приема спиновых волн в магнитных волноведущих структурах. Определенное внимание уделяется архитектуре и подходам к построению логических устройств на основе интерференционных эффектов. Для мультиферроидных структур приводятся оценки энергоэффективности переключения устройств магнонной логики между состояниями логический «0» и «1». Показана возможность построения основных логических элементов и функций на принципах магнонной логики. Проводится сравнение магнонных логических устройств с устройствами по стандартной КМОП-технологии. Обсуждаются возможные области применения устройств магнонной логики.

Ключевые слова: магноника, спиновые волны, тонкие магнитные пленки, мульти-ферроики, стрейнтроника, магнонные сети и волноведущие структуры, интерференция спиновых волн, управление фазой спиновых волн, магнонная голографическая память.

Язык публикации: английский

DOI: 10.18500/1817-3020-2017-17-4-216-241



© МИАН, 2024