Твердотельная электроника, микро- и наноэлектроника
Магнитные свойства текстурированных пленок NiFe(111) и NiFe(200)
А. С. Джумалиев,
Ю. В. Никулин Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
Аннотация:
Впервые исследованы зависимости от толщины (
$d\approx 20$–
$370$ нм) намагниченности насыщения
$4\pi M$, ширины линии ферро-магнитного резонанса (ФМР)
$\Delta H$, поля коэрцитивности
$H_c$ и формы петель гистерезиса для пленок пермаллоя Ni
$_{80}$Fe
$_{20}$ (NiFe) с текстурой (200). Полученные для пленок NiFe(200) зависимости магнитных параметров от толщины
$d$ сопоставлены с зависимостями
$4\pi M(d)$,
$\Delta H(d)$ и
$H_c (d)$ для пленок NiFe(111) с выраженной текстурой (111) и поликристаллических пленок NiFe. Пленки NiFe(200) осаждались магнетронным распылением на постоянном токе при температуре подложки
$T_s\approx 570$ K в отсутствии напряжения смещения на подложке
$U_b$ (
$U_b\approx 0$). Пленки NiFe(111) осаждались магнетронным распылением на подложки при комнатной температуре
$T_s\approx 300$ K и двух значениях напряжения смещения:
$U_b\approx -100$ В (сильная текстура (111)) и
$U_b\approx 0$ (поликристаллическая пленка со слабой текстурой (111)). Микрокристаллическая структура пленок исследовалась методами рентгеновской дифракции, сканирующей электронной и зондовой микроскопии. Магнитные параметры
$4\pi M$ и
$\Delta H$ измерялись методом ФМР на частоте
$9.9$ ГГц. Измерение петель гистерезиса и поля коэрцитивности
$H_c$ проводилось с помощью вибрационного магнитометра. Все измерения производились при комнатной температуре с магнитным полем, приложенным в плоскости пленки. Магнитная доменная структура изучалась методом магнито-силовой микроскопии. Установлено, что зависимости
$4\pi M(d)$ и
$\Delta H(d)$ для пленок NiFe(200) и пленок NiFe(111) с сильной и слабой текстурой (111) совпадают с точностью около
$10\%$, тогда как зависимости
$H_c(d)$ заметно различаются. В поликристаллических пленках NiFe со слабой текстурой (111) (
$U_b \approx 0$) при критической толщине
$d_{cr} \approx 120$ нм петли гистерезиса изменяются с прямоугольных на «закритические», а значения
$H_c$ возрастают от
$H_c \leq 2$ Э при
$d<d_{cr}$, до
$H_c > 40$ Э при
$d>d_{cr}$. Для пленок NiFe(111) c сильной текстурой (111) (
$U_b \approx -100$В) и NiFe(200) петли гистерезиса сохраняют прямоугольную форму в диапазоне толщин
$d\approx 20$–
$370$ нм, значения
$H_c$ совпадают в пределах
$5\%$ и с ростом толщины пленки уменьшаются от
$\approx 2.5$–
$3$ Э до
$\approx 1.5$–
$2$ Э. Поведение зависимостей
$4\pi M(d)$,
$\Delta H(d)$ и
$H_c(d)$ связывается с особенностями микрокристаллической структуры (текстура, размер зерна) пленок NiFe.
Ключевые слова:
текстурированные пленки NiFe, магнетронное распыление, кристаллическая структура, магнитные свойства, микроструктура.
УДК:
538.975; 539.26; 539.231
DOI:
10.18500/1817-3020-2017-17-4-242-253