Твердотельная электроника, микро- и наноэлектроника
Влияние давления аргона на текстуру и микроструктуру пленок кобальта, осаждаемых магнетронным распылением
А. С. Джумалиев,
Ю. В. Никулин Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
Аннотация:
Исследовано влияние давления рабочего газа аргона (0.13-0.09
$\leq$ P $\leq$ 1 Па) на микроструктуру и текстуру пленок кобальта, наносимых методом магнетронного распыления на постоянном токе на подложки
SiO$_2$/Si при комнатной температуре. Показано, что при высоких давлениях аргона
P $\approx$ 1-0.22 Па пленки кобальта обладают столбчатой микроструктурой по толщине, а кристаллическая структура пленок соответствует смешанной кристаллической фазе: гексагональной плотноупакованной (гпу) с текстурой (002) и гранецентрированной кубической (гцк) с текстурой (111). Пленки, полученные при
P $\approx$ 0.13-0.09 Па, характеризуются кристаллической фазой с гцк кристаллической решеткой с текстурой (200) и неоднородны по толщине - на границе с подложкой в слое толщиной
d$_c$ пленки обладают квазиоднородной микроструктурой, а при толщинах
d > d$_c$ микроструктура пленки изменяется на «квазистолбчатую».
Ключевые слова:
кобальт, тонкие пленки, текстура, микро-структура, магнетронное распыление, рентгеновская дифракция, электронная микроскопия.
УДК:
538.975; 539.231; 539.25; 539.26
DOI:
10.18500/1817-3020-2017-17-4-254-262