Nanostructured porous silicon layers formation at low doses of $\gamma$-radiation

Приводятся результаты экспериментального исследования формирования структур нанопористого Si (SiNР) методом металл стимулированного химического травления при облучении малыми дозами $\gamma$-радиации непосредственно в процессе получения (in situ). Показано, что радиационное излучение приводит к увеличению кристаллизации структур SiNР, полученных на предварительно облученных подложках, и может быть связано с понижением исходной дефектности подложки кремния.