RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки // Архив

Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2012, выпуск 3, страницы 124–132 (Mi ivpnz479)

Физика

Способ определения плотности поверхностных состояний в гетероструктурах CdA/Si(p) на основе анализа вольт-фарадных характеристик

В. В. Трегулов

Рязанский государственный университет имени С. А. Есенина, Рязань

Аннотация: Представлен способ определения плотности поверхностных состояний в гетероструктурах по частотной зависимости вольт-фарадных характеристик для случая, когда заряд поверхностных состояний зависит от приложенного напряжения постоянного смещения. Приведены результаты исследования гетероструктуры CdS/Si(p), изготовленной методом гидрохимического осаждения.

Ключевые слова: гетероструктура, фотоэлектрический преобразователь, глубокие уровни, вольт-фарадные характеристики, поверхностные состояния.

УДК: 621.383.51



© МИАН, 2024