Бихроматическое поле накачки как эффективное средство управления усилением терагерцевого излучения в полупроводниковой сверхрешетке

Теоретически исследованы схемы усиления терагерцевого излучения в полупроводниковой сверхрешетке, основанные на использовании бихроматического поля накачки. Показано, что в данных схемах усиление слабого пробного поля возможно на частоте, несоизмеримой с частотами полей накачки в условиях отсутствия разрушающих усиление нестабильностей.