Вычисление магнитного момента электронов в немодулированном силицене

Актуальность и цели. Магнитные свойства монослоев различных наноструктур широко исследуются в последнее время. Как известно, силицен представляет собой однослойную кремниевую пленку. Силицен является аналогом графена, который имеет сотовую геометрическую структуру. Целью работы является вычисление магнитного момента электронов в немодулированном силицене. Материалы и методы. Вычисление магнитного момента основано на термодинамическом потенциале $\Omega$. Зная энергетический спектр электронов, можно вычислить как термодинамический потенциал, так и магнитный момент. Результаты. Получено аналитическое выражение для магнитного момента, проанализирована его зависимость от магнитного поля. Выводы. Полученные результаты позволяют утверждать, что этот метод вычисления магнитного момента, применяемый для трехмерного электронного газа, можно применять и для различных наноструктур.